檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "摻雜".ckeyword (精準) and year="101"
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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為瞭解在二氧化鈦(TiO2)中摻雜鐵(Fe)對其缺陷結構之影響，本研究以溶膠-凝膠法(Sol-gel)製備摻雜不同比例Fe之 TiO2奈米粉末，利用X光繞射(X-ray diffraction)、X…
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第一部分：我們使用殼層成長摻雜法(shell growth doping)成功地將Mn、Co、Ni等三種過渡金屬分別摻雜於CuInS2/ZnS核殼結構量子點中，並以不同摻雜量作為主要的參數調整，接著…
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氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-Doped CeO2, GDC)固態電解質材料被認為最有潛力可取代傳統氧化釔安定氧化鋯(Yttria-Stabilized Zirconia, YSZ)電解質並應用於中…